DMN67D8LW-13 与 SN7002W H6327 区别
| 型号 | DMN67D8LW-13 | SN7002W H6327 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN67D8LW-13 | A-SN7002W H6327 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 宽度 | - | 1.3mm | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.3Ω | ||||||
| 上升时间 | - | 2.8ns | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 1nC | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 22 pF @ 25 V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | 20V | ||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 100mS | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.82 nC @ 10 V | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 240mA(Ta) | 230mA | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||||
| 下降时间 | - | 8.5ns | ||||||
| 高度 | - | 1.10mm | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 320mW(Ta) | 500mW(1/2W) | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 5Ω@500mA,10V | - | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 6ns | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||
| 系列 | - | XN7002 | ||||||
| 驱动电压 | 5V,10V | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 2.4ns | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 9,900 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN67D8LW-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 320mW(Ta) ±30V SOT-323 -55°C~150°C(TJ) 60V 240mA(Ta) |
￥0.3575
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9,900 | 当前型号 | ||||||||
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DMN67D8LW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 60V 240mA(Ta) ±30V 320mW(Ta) 5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SN7002W H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 230mA 2.3Ω 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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